Hello !
La dérive en température de la tension de pincement n'est pas pire que celle d'une zéner, pas de panique !
Tes deux MOSFETS à la (à la ) queue leu leu me font un peu peur, leur tension de gate devraient se suivre avec assez de précision pour que les tensions se répartissent équitablement . . .

Dans l'article j'ai écrit:
Avec les valeurs indiquées, le courant traversant R est typiquement de 1 mA, la tension obtenue est donc R / 1000.
Cette tension est appliquée à la grille du ballast (Q2) qui agit en résistance variable pour maintenir sa tension de source égale à sa tension de grille diminuée de sa tension de pincement.
Le condensateur C1 se charge à travers la source du courant de 1 mA à raison de 1000 volts par seconde et par microfarad.
Soit 100V par seconde pour 10µF, 10V par seconde pour 100µF, etc ..
Il a pour double rôle de ralentir l'apparition de la tension de sortie et de filtrer d'éventuels bruits résiduels.
Il doit supporter la tension de sortie.
La résistance R2 évite de faire débiter Q1 sur un court circuit à la mise sous tension lorsque C1 est complètement déchargé ce qui incidemment ajoute R2 * C1 secondes à la valeur estimée ci-dessus.
Ca devrait suffire !
Mais je laisserai les mêmes valeurs pour les deux gates.

Yves.

Bonsoir éric et Yves

Peut être aussi une résistance dans la gate de M102 et M103, histoire de se prémunir
d'oscillation HF ou une perle de ferrite

A+

Bonjour Yves et Christophe,

Merci Yves.

Christophe, j'ai ajouté les perles.

Les rectifications des R's de démarrage sont faites, j'ai gardé 200 K pour + de temps.

Je passe à celle du driver, puis à la négative qui sera une copie de celle de Yves.



A+

Eric

Bonsoir

Tu peux aussi suivre le DN3545 dans la branche négative , comme ceci



Bonne fêtes à tous et joyeux réveillon

On en reparle l'année prochaine hein

Bonjour à tous,

En premier lieu, mes meilleurs vœux de bonheur et .... à vous et vos familles pour cette nouvelles année.

A suivre une alime du même goût que la HT 845 . VT4C mais avec une plage de fonctionnement beaucoup plus importante lui permettant à la fois de servir aux drivers 845 . VT4C d'une tension de 550 Vdc et 80 ma ou à un 300 B 420 Vdc 150 Ma par exemple.

Les Ballasts sont ceux de l'alime HT 845 car je n'ai pas trouvé plus performant sur le package ( RON, CISS, DV/DT, P, ).

Par contre le DN 3567 en D MOS convient à mon avis, si c'est pas le cas ( tension VDS un peu juste ) je peux remettre ixtt2.

J'ai cette fois-ci équilibré les tensions VDS en tenant compte d'une surtension réseau de + 5 %.



Cordialement.

Eric

Bonjour,

Les papiers de J.GEST m'ont poussé à ratisser tous les MOS disponibles qui pourraient faire le ballast idéal.

Très faible résistance RON, capacité d'entrée acceptable, haute tension, puissance dissipée importante pour ne pas avoir de gros radiateurs, transconductance très élevé.

Le moteur de recherche de MOUSER permet très rapidement d'isoler les candidats sur la tensions adéquates. Il se trouve que les fabricants font des efforts surhumain sur les tensions VDS 1700 V et 1200 V pour répondre au marché du solaire.

Ironie du sort, cela m'a tout d'abord amené sur un SIC MOSFET qu'utilise M.KANEDA sur ses amplis en sortie.
SCH2080KE, le second meilleur choix.
Puis en creusant encore on tombe sur les SIC JFET de INFINEON et SEMITHOUT ce dernier ayant fondu les plombs était le fournisseur préféré de NELSON PASS pour ces totors de sortie.

Le monde est petit.

Puis la perle rare :

VDS : 1200 V
IDS : 20 A en continu
PD : 200 w
S = 9 !!!!
CISS = 950 pf
RON = 0,08 ohm !!!
Prix = 14 €
Dispo.

CREE ref : C2M0080120D

Ce constructeur fabrique des diodes SIC du même tonneau que je vais également adoptées.

CREE ref : C2M0160120D

Cela devrait donner d'excellents résultats voir exceptionnels.

Les schémas à jour.





Cordialement.

Eric

Petite erreur de manipe sur les schémas.







Cordialement.

Eric

Bonjour,

Je suis en train de travailler toutes mes futuers alimes en même temps.

J'ai peut être trouvé un nouveau candidat pour remplacé le MJE 350.

Il tient seulement 600V, mais normalement et avec les CTN's en entrée, pour moi il ne voit à aucun moment la tension d'entrée maximum mais seulement la DDP entre la tension d'entrée et la tension de référence ?

Voici l'oiseau.
STN 9360

En cas d'une tension nécessaire au moins égale à celle d'entrée, il serait quand même montable sur une alime avec une tension inférieure à 600 V pour remplacé le MJE ( 300B par exemple )?

Vous pouvez me confirmer svp et y a-t-il des modifes, pour moi non?


Pour le MOS en déplétion j'ai trouvé mieux sous 1000V.

IXTT10N100D ou IXTP6N100D2

Là, je croix que j'ai fait le tour de la question de ce qui est dispo.

A vous lire avant commande.

Eric

Autre point et non des moindres.

Cette été après discussion avec Charly et Yves, j'ai décidé de changer mes TS de sortie 845's.

Le cahier des charges étaient qu'ils puissent convenir aux 845 SHUGUANG et VT4C GE.
D'après les spec's GE et SHUGUANG le meilleur compromis à 1000V était autour de 8K. Ce que ne confirmait aucunement les dires ou bruits comme quoi la seule impédance primaire réfléchie possible était 10K.

J'ai donc pour en avoir le cœur net, procédé à une deuxième test d'impédance primaire réfléchie sur les 2 tubes.

L'un à 1000 V 85 ma pour la 845 Shuguang et l'autre à 1000V 60 ma pour la VT4C.

Ce test fût réalisé sur R au secondaire recalculées et mesurées pour avoir différentes ZP réfléchies.
Je n'osais le publié n'étant pas à 100 % que cette manipe était parfaitement dans les clous avec le TS chinois.

Et puis ce jour, en cherchant des caisses et dissipateurs pour mes futures réalisations, je suis tombé je ne sais comment, sur le site MONOLITH en Belgique.

Et là, au bonne surprise, les impédances primaires des transfo's S5 et S7 de ce constructeur sont à 500 ohms prêt ( marque de tubes ?) celle que j'ai validées avec Yves, soit 8K !!!

Je peux donc dire que cette procédure est valide et je vais recommencé à chaque fois que cela sera nécessaire.

En voici les résultats.



Cordialement.

Eric