Bonjour.

J'aurais tout de même une question concernant la composante continue....quelle est la valeur à ne pas dépasser au niveau des hp??

J'ai pu lire que 10 à 100 mV n'était pas critique

Je ne voudrais pas envoyer au paradis des des enceintes mes electrovoice......

Colt
Fred.

Avec 100mV, en supposant que la resistance de ta bobine soit de 5 ohms, elle va dissiper 50mW en permanence, donc pas de soucis.

Il faut faire attention si un transistor lâche et mettre une protection. En général, les protections agissent à partir de plus ou moins 0.5/0.6V, la tension de déclenchement d'un transistor bipolaire.

Serge

Merci pour la réponse.

Normalement j'attaque la pratique d'ici peu. on verra ce qui en sort.

J'aurais un autre question.

Quelqu'un pourrait m'expliquer comment calculer une résistance de grille d'un mosfet utilisé en bf?....j'arrive pas a trouver d'infos sur ce point. Merci.

Clt.
Fred.

Bonjour Fred,

Le Mosfet une résistance d'entrée fort élevée (tend vers l'infini ??)

Par contre il a une capacité entre gate et autres electrodes souvent élevée. C'est donc une capacitance....mod(Z)=1/(CxOmega)

Pascal.

Bonjour.

Merci pascal.

Mais je ne ne parlais pas de la résistance interne du mos. Mais celle qu'on doit mettre au niveau de la grille. je vois que couramment on utilise une résistance de l'orde de 100 à 800 ohms. Mais comment font ils pour la déterminée.? car apparemment celle ci contribue à la stabilité du mos en hf.

Clt.
Fred.

Hello Fred,

Vu que la résistance interne de la gate est considérée comme très grande, aucun courant ne circule dans le circuit de gate. Mais vu la conductance d'un FET (plusieurs A.V) il faut protéger la gate de toute pollution electromagnétique. C'est pour cela qu'on met une R entre 1 et 10k soudée au plus près de la gate du mosfet. Perso, je coupe la patte de l'IRF pour souder la résistance à la place. Attention cependant, le silicium est très sensible à la chaleur du fer

Amicalement,
Grégoire

Bonjour Grégoire.

Et merci pour la réponse.

J'ai pu lire notamment que cette résistance pouvait induire une oscillation de l'ampli si celle ci était mal choisie (valeur trop basse). D'où mon inquiétude. Par ailleurs que pour des valeurs basses de cette résistance l'ampli était plus réactif. A l'inverse il aurait tendance à faire le dos rond pour une valeur importante. Mais apparemment ce n'est pas le cas. vive internet.

Ou alors j'ai toujours rien compris.

Clt
Fred.

Cela semble logique, car on a un circuit de type RC : Une valeur basse va engendrer un déphasage qui ajouté à d'autres aux fréquence élevées deviendra critique alors que le gain sera encore important -> Niquist !
Une valeur élevée fera tomber le gain lorsque la fréquence augmente mais aussi la fréquence maxi d'utilisation.

J'ai testé en mettant la valeur la plus élevée compatible avec la fréquence de coupure haute nécessaire. Cela à marché jusqu'à aujourd'hui.
Encore, les capacités sont les clés du calcul de l'étage MOSFET et un des critères de choix du MOS (en audio du moins AMHA).

Bonne soirée.

PS : dans ton montage ou l'élément actif est en source suiveuse, l'effet des capacités est partiellement masqué par le mode de fonctionnement et une valeur assez forte sera possible.

Pascal.

Bonjour

Merci pour les explications.

Voici mon analyse.

Puissance de sortie Max.



L'amplificateur complet en analyse fréquentielle affiche un gain de 19dB et une bande passante à -3dB de 2Hz à 400kHz. La phase est contenue à +/- 10° entre 20Hz et 20kHz



Taux de distorsion harmonique total pour 10w sous 8 ohms pour 1kHz.



Ça va je m'attendais à pire. sans cr il fallait s'y attendre.

Représentation spectrale. 1kHz 10w 8ohms.
La fondamentale pointe à 10v



Impédance de sortie.



Toute critique est la bien venue.

Clt
Fred.

Bonsoir

Oui une critique, gaffe avec LTC il est plus qu'optimiste avec la THD et surtout ne pas oublier
qu'il travaille avec des composants parfait au delà du parfait, comme on en vois que sur du papier glacé

De plus faut être sûr que tes modèles de composant soit optimum pour ton application audio
et donc vérifier leurs modélisations , ce n'est pas évident

Beau boulot en tout cas

Bonjour.

Oui oui. C'est juste de la simu. J'en suis conscient. n'empêche que ça dégrossit vachement le boulot.

Merci.
Fred.

Bonjour.

Donc voici la nouvelle config. Avec le bon modèle de mos. :siffle: .

Puissance de sortie.



gain de 19.5dB et une bande passante à -3dB de 2Hz à 100kHz. La phase est contenue à +/- 5° entre 20Hz et 20kHz



Taux de distorsion total. 8w 1khz






C'est nettement mieux.

Clt
Fred.

Certains ci ont été édités.

La carte ampli mono.



Je suis passé en 2sk1358 partout. Le mos du générateur montait à 30w de dissipation. L'irfz44 en boîtier to220 dissipe maxi 60w.

Le module de protection.

La j'ai enlevé l'alim 12v.

Les composants commencent à arriver.

En m'amusant sur le simu, notamment en ce qui concerne toujours cette histoire de résistance de grille j'ai pu remarqué une réaction vraiment bizarre.
En faisant varier Rg cela joue sur l'impedance de sortie de l'ampli à haute fréquence.







Je me rappelle qu'à l'époque ou j'avais réaliser ce montage avec les lm certes les lm317 dégageaient mais ça arrivait plutôt souvent que les mos aussi dégageaient. due sûrement à une instabilité de l'ampli. Je voyais pas autres choses.

Je me pose donc une question.
Est ce que l'affolement de cette impédance qui définit entre autre le cA de l'ampli, pourrait agir sur la stabilité?
Parcequ' avec 4.7k à Rg le phénomène intervient dans la bande de fonctionnement de l'ampli.
-!-
Clt
Fred.